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罗海辉 总经理
株洲中车时代半导体有限公司 报告题目：SiC MOSFET技术进展与发展方向 |
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报告摘要： 近年来，在新能源汽车产业发展的驱动下，SiC MOSFET技术取得了长足的进步，成本也快速下降，进一步推动了SiC MOSFET在充电桩、OBC、DC/DC、光伏、轨道交通等诸多领域的应用。本报告回顾了SiC MOSFET在芯片设计、芯片工艺、封装、可靠性等方面的重要进展，指出了SiC MOSFET进一步发展需要解决的技术难题，包括短路性能与静态损耗的折中优化、MOS界面质量的进一步优化、可靠性提升、超结技术等，并针对这些技术难题，对潜在的技术解决方案进行了探讨。 报告人简介： 罗海辉，博士，中国中车首席技术专家，现任株洲中车时代半导体有限公司总经理，长期从事IGBT和碳化硅功率器件技术研发与产业化工作，带领团队构建全电压系列IGBT产品技术平台并为轨道交通、新能源汽车、工业和输配电等领域提供功率半导体器件解决方案，入选“国家重点领域创新团队”。主持的项目曾获国家技术发明奖二等奖1项、省部级科技奖5项，通过省部级科技成果鉴定5项。申请发明专利100余项，其中46项发明专利已授权。在国际会议、国内外核心期刊发表论文40余篇。 |
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论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
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2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
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2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
