| 派恩杰半导体 |
| 地址：浙江省杭州市萧山区宁围街道悦盛国际中心 电话：0571-88263297 网站：http://www.pnjsemi.com/ |
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企业简介：
派恩杰半导体成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。公司拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，并且均通过AEC-Q101车规级测试认证。可以满足客户的各种应用场景，为客户提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。
派恩杰半导体拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势，创始人黄兴博士于09年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授和ETO晶闸管发明人Alex Q. Huang教授。目前，派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。 |
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重点产品介绍：
①P3M12040K4是派恩杰半导体面向光伏/储能逆变器、充电模块、车载OBC等主流应用推出的1200V 40mΩ碳化硅MOSFET，器件采用TO247-4L封装，独立的开尔文源极引脚可以大大降低开关损耗。P3M12040K4采用成熟可靠的新一代平面栅工艺，产品性能国际领先，且通过了AEC-Q101测试标准。该产品自成功开发以来，受到市场的广泛认可，在各个应用领域均有大量应用，并且在2022年起打入海外市场，为世界顶尖的充电桩企业大批量供货。
②针对电动汽车电驱系统，派恩杰半导体推出一系列HPD封装的三相全桥碳化硅功率模块，如PAAC12400CM和PAAC12600CM，涵盖了1200V电压平台下，400A-600A的额定电流能力。相比于传统的IGBT功率模块，该产品的开关损耗和导通损耗大幅度降低，可以显著提高电驱系统的轻载效率，大幅提高电动汽车的续航里程。同时，该产品采用PinFin基板，银烧结和DTS工艺，具有超强的散热性能和大幅提升器件可靠性，可以极大地简化电驱系统的机械设计。派恩杰HPD模块是专门为800V电机驱动系统开发，满足车规级要求。 |
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
