| 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 地址：湖南省长沙高新区长兴路399号 电话：+86 731 8188 9206 网站：www.sanan-semiconductor.com |
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企业简介：
湖南三安半导体有限责任公司（简称：三安半导体），作为上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司，是一家专注于电力电子领域，提供功率半导体产品及代工服务的制造商。
公司成立于2020年7月，项目位于长沙高新开发区，占地面积1000亩，总投资160亿元，主要从事宽禁带半导体的研发、设计、制造、销售和服务，产品与服务包括SiC MOSFET/二极管、SiC衬底/外延、车规级SiC模块代工以及GaN-on-Si晶圆代工等，核心性能和可靠性符合行业高品质标准，服务于新能源汽车、光伏储能、充电桩、工控、家电等领域的全球超800家客户，截至2023年末，SiC芯片/器件已累计出货超2亿颗。 三安半导体拥有国内为数不多的SiC全产业链垂直整合制造服务平台，能提供长晶、衬底、外延、芯片、封测全流程制造服务，实现产品迭代、质量、交付全方位管控；且产能规模、技术水平在全球同行业中具有竞争力，可有力保障供应，满足市场需求。 |
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重点产品介绍：
依托于SiC垂直整合产业链，三安半导体推出面向可再生能源转换系统的SiC MOSFET 功率器件，帮助客户实现更高的功率密度、更小的模块尺寸和更轻的系统重量。
三安半导体拥有完备的SiC二极管产品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A 以及 1700V 等不同电压电流平台，累计出货量 2 亿颗。目前已迭代至第五代产品，具备更低的正向压降和更好的散热能力，为客户的系统设计提供更高的功率密度和更长期的可靠性。 三安半导体通过独家长晶工艺技术，使SiC衬底/外延整体缺陷值进一步优化；采用国内最佳磨削工艺，实现6寸衬底TTV(avg)<1.5um；优异的外延制程工艺，缺陷和均匀性控制能力业界领先。 三安半导体的标准功率模块依托最新的SiC工艺和小型化封装技术，提升模块性能，适用于高能效、高功率密度的应用领域。 |
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
